SST6839T216
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SST6839T216中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
SST6839T216引脚图与封装图
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在线购买SST6839T216
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST6839T216 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
替代型号SST6839T216
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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