锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

114.285 MHz LVCMOS,LVTTL XO(标准) 1.8V 启用/禁用 4-SMD,无引线


得捷:
MEMS OSC XO 114.2850MHZ LVCMOS


SIT8209AI-G1-18E-114.285000X中文资料参数规格
技术参数

频率 114.285 MHz

频率稳定度 ±20 ppm

电源电压 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIT8209AI-G1-18E-114.285000X
型号 制造商 描述 购买
SIT8209AI-G1-18E-114.285000X SiTime High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD 搜索库存
替代型号SIT8209AI-G1-18E-114.285000X
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

品牌: SiTime

封装: 4-SMD

当前型号

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

当前型号

型号: SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

品牌: SiTime

封装:

完全替代

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X和SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y的区别

型号: SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

品牌: SiTime

封装:

完全替代

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X和SIT8209AI-G1-18E-114.285000T的区别