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SIT8918AE-13-33E-4.915200G

SIT8918AE-13-33E-4.915200G

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4.9152MHz, Oe, SMD, Nrnd

4.9152MHz XO Standard LVCMOS, LVTTL Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead


得捷:
MEMS OSC XO 4.9152MHZ LVCM LVTTL


SIT8918AE-13-33E-4.915200G中文资料参数规格
技术参数

频率 4.9152 MHz

频率稳定度 ±50 ppm

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT8918AE-13-33E-4.915200G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIT8918AE-13-33E-4.915200G SiTime 1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4.9152MHz, Oe, SMD, Nrnd 搜索库存
替代型号SIT8918AE-13-33E-4.915200G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8918AE-13-33E-4.915200G

品牌: SiTime

封装: 4-SMD

当前型号

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4.9152MHz, Oe, SMD, Nrnd

当前型号

型号: SIT8918AE-13-33E-4.915200E

品牌: SiTime

封装:

完全替代

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4.9152MHz, Oe, SMD, Nrnd

SIT8918AE-13-33E-4.915200G和SIT8918AE-13-33E-4.915200E的区别

型号: SIT8918BE-13-33E-4.915200G

品牌: SiTime

封装:

完全替代

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4.9152MHz, Oe, SMD

SIT8918AE-13-33E-4.915200G和SIT8918BE-13-33E-4.915200G的区别

型号: SIT8918AE-13-33E-4.915200D

品牌: SiTime

封装:

完全替代

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4.9152MHz, Oe, SMD, Nrnd

SIT8918AE-13-33E-4.915200G和SIT8918AE-13-33E-4.915200D的区别