频率 200 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 30 @0.1mA, 1V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SST4403T116引脚图
SST4403T116封装图
SST4403T116封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SST4403T116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SST4403 系列 40 V 0.6 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SST-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SST4403T116 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TO-236-3 PNP -40V -600mA 0.35W | 当前型号 | SST4403 系列 40 V 0.6 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SST-3 | 当前型号 | |
型号: MMST4403T146 品牌: 罗姆半导体 封装: TO-236-3 PNP -40V -600mA 350mW | 完全替代 | SMT PNP 40V 0.6A | SST4403T116和MMST4403T146的区别 | |
型号: MMBT4403LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -40V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE | SST4403T116和MMBT4403LT1G的区别 | |
型号: MMBT4403-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 PNP 40V 600mA 350mW | 功能相似 | 三极管 | SST4403T116和MMBT4403-7-F的区别 |