SI9910DY-E3中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 50ns, 35ns
输出接口数 1
供电电流 0.5 mA
耗散功率 700 mW
上升时间 50 ns
下降时间 35 ns
下降时间Max 35 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 700 mW
电源电压 10.8V ~ 16.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9910DY-E3引脚图与封装图
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| SI9910DY-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET DRVR 1A 1Out Hi Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N | 搜索库存 |