SI9912DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 30ns, 20ns
输出接口数 2
输出电流 1 A
供电电流 1 mA
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9912DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI9912DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9912DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 半桥MOSFET驱动器，用于开关电源 Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies | 搜索库存 |