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SMBJ12AONT3G

SMBJ12AONT3G

数据手册.pdf

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressor

19.9V Clamp 30.2A 8/20µs Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


得捷:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R


SMBJ12AONT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 13.8 V

钳位电压 15.6 V

最大反向电压(Vrrm) 12V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 13.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMBJ12AONT3G引脚图与封装图
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在线购买SMBJ12AONT3G
型号 制造商 描述 购买
SMBJ12AONT3G ON Semiconductor 安森美 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressor 搜索库存
替代型号SMBJ12AONT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ12AONT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 12V 600W

当前型号

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressor

当前型号

型号: 1SMB12AT3

品牌: 安森美

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