SM6HT39A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 39.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 39.0 V
最大反向电压（Vrrm） 33.3V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 37.1 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.60 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.45 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM6HT39A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SM6HT39A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM6HT39A | ST Microelectronics 意法半导体 | 高温TRANSILTM用于汽车应用 HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS | 搜索库存 |
替代型号SM6HT39A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SM6HT39A 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SMB 39V 600W | 当前型号 | 高温TRANSILTM用于汽车应用 HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS | 当前型号 |
| 型号： P6SMB39A-M3/5B 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 33.3V 600W 2Pin SMB T/R | SM6HT39A和P6SMB39A-M3/5B的区别 |
| 型号： SM6T39A-M3/5B 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 33.3V 600W 2Pin SMB T/R | SM6HT39A和SM6T39A-M3/5B的区别 |
| 型号： P6SMB39A-M3/52 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 33.3V 600W 2Pin SMB T/R | SM6HT39A和P6SMB39A-M3/52的区别 |