SM6HT36A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 36.0 V
工作电压 30.8 V
额定功率 600 W
击穿电压 34.2 V
耗散功率 600 W
钳位电压 49.9 V
最大反向电压（Vrrm） 30.8V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 34.2 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
长度 4.60 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.45 mm
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM6HT36A引脚图与封装图
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在线购买SM6HT36A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM6HT36A | ST Microelectronics 意法半导体 | 高温TRANSIL用于汽车应用 HIGH TEMPERATURE TRANSIL FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS | 搜索库存 |
替代型号SM6HT36A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SM6HT36A 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SMB 36V 600W | 当前型号 | 高温TRANSIL用于汽车应用 HIGH TEMPERATURE TRANSIL FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS | 当前型号 |
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| 型号： P6SMB36A-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-214AA | 功能相似 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 单向 600W，P6SMB 系列，Vishay Semiconductor 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SM6HT36A和P6SMB36A-E3/52的区别 |
| 型号： P6SMB36A-M3/52 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2Pin SMB T/R | SM6HT36A和P6SMB36A-M3/52的区别 |