SCS112AGC
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SCS112AGC中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.7V @12A
耗散功率 80 W
热阻 1.6℃/W RθJC
反向恢复时间 0 ns
正向电压Max 1.7V @12A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 175℃ Max
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-2
外形尺寸
封装 TO-220-2
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SCS112AGC引脚图与封装图 
SCS112AGC引脚图
SCS112AGC封装图
SCS112AGC封装焊盘图
在线购买SCS112AGC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SCS112AGC | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 12A | 搜索库存 |
替代型号SCS112AGC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SCS112AGC 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-2 | 当前型号 | 肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 12A | 当前型号 |
| 型号： SCS212AGC 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-220AC | 类似代替 | ROHM SCS212AGC 二极管, 碳化硅肖特基, 屏障, 650V系列, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC | SCS112AGC和SCS212AGC的区别 |