SN75372DG4
TI
德州仪器
主动器件
SN75372DG4中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
耗散功率 0.725 W
上升时间 30 ns
驱动器/包 2
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 30 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 725 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SN75372DG4引脚图与封装图 
SN75372DG4引脚图
SN75372DG4封装图
SN75372DG4封装焊盘图
在线购买SN75372DG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SN75372DG4 | TI 德州仪器 | MOSFET DRVR 0.5A 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
替代型号SN75372DG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SN75372DG4 品牌： TI 德州仪器 封装： Surface 8Pin | 当前型号 | MOSFET DRVR 0.5A 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC Tube | 当前型号 |
| 型号： SN75372DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 4.75V 8Pin | 完全替代 | 双路 MOSFET 驱动器 8-SOIC 0 to 70 | SN75372DG4和SN75372DR的区别 |
| 型号： SN75372D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 4.75V 500mA 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS SN75372D 双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8 | SN75372DG4和SN75372D的区别 |