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SMDB12C/TR7

SMDB12C/TR7

数据手册.pdf

Tvs Diode 12vwm 19vc 8so

This TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR TVS array is packaged in an SO-8 configuration giving protection to 4 unidirectional or bi-directional data or interface lines. It is designed for use in applications where protection is required at the board level from voltage transients caused by electrostatic discharge ESD as defined in IEC 61000-4-2, electrical fast transients EFT per IEC 61000-4-4 and effects of secondary lightning. These TVS arrays have peak pulse power ratings of 300 watts SMDA and 500 watts SMDB for an 8/20 µsec pulse. They are suitable for protection of sensitive circuitry consisting of TTL, CMOS, DRAM’s, SRAM’s, HCMOS, HSIC and low-voltage interfaces from 3.3 volts to 24 volts

SMDB12C/TR7中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 24 V

脉冲峰值功率 300 W

最小反向击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMDB12C/TR7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMDB12C/TR7 Microsemi 美高森美 Tvs Diode 12vwm 19vc 8so 搜索库存
替代型号SMDB12C/TR7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMDB12C/TR7

品牌: Microsemi 美高森美

封装: 8-SOIC

当前型号

Tvs Diode 12vwm 19vc 8so

当前型号

型号: SMDA12CE3/TR13

品牌: 美高森美

封装: SOP

完全替代

TVS ARRAY BIDIR 300W 12V 8SOIC

SMDB12C/TR7和SMDA12CE3/TR13的区别

型号: SMDB12CE3/TR13

品牌: 美高森美

封装: SO-8

完全替代

TVS ARRAY BIDIR 500W 12V 8SOIC

SMDB12C/TR7和SMDB12CE3/TR13的区别

型号: SMDB12CE3/TR7

品牌: 美高森美

封装: SO-8

完全替代

ESD Suppressor TVS 12V 8Pin SO T/R

SMDB12C/TR7和SMDB12CE3/TR7的区别