STW16NK60Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 14.0 A
漏源极电阻 420 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2650pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
STW16NK60Z引脚图与封装图
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在线购买STW16NK60Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW16NK60Z | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | 搜索库存 |
替代型号STW16NK60Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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