STP30NM30N中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
STP30NM30N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP30NM30N | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET - N 沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | 搜索库存 |