
STF30NM50N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2740pF @50VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF30NM50N引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STF30NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N-channel 500V, 0.09Ω, 27A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | 搜索库存 |