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STD8NM60N

N沟道600 V - 0.56ヘ - 7 A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK封装的第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 7A(Tc) 70W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


STD8NM60N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 70W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 560pF @50VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD8NM60N引脚图与封装图
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STD8NM60N ST Microelectronics 意法半导体 N沟道600 V - 0.56ヘ - 7 A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK封装的第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET 搜索库存