STS10PF30L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -10.0 A
漏源极电阻 14.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 87 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS10PF30L引脚图与封装图 
STS10PF30L引脚图
STS10PF30L封装图
STS10PF30L封装焊盘图
在线购买STS10PF30L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS10PF30L | ST Microelectronics 意法半导体 | P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STS10PF30L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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