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STP8NM50

N沟道500V - 0.7ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh⑩Power MOSFET

通孔 N 通道 8A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB


贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 8 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


STP8NM50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 550 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 800 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 550 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 415pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP8NM50引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP8NM50 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道500V - 0.7ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh⑩Power MOSFET 搜索库存