SI7844DP-T1
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI7844DP-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 30.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.40 W
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7844DP-T1引脚图与封装图
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