STF30NM60ND中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2800pF @50VVds
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF30NM60ND引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF30NM60ND | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V ， 0.11 Ω ， 25 A FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 220，TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ，TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET with fast diode TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 | 搜索库存 |