SI3454DV
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI3454DV中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 65.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.60 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.20 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SuperSOT
外形尺寸
封装 SuperSOT
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3454DV引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3454DV | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI3454DV
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3454DV 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SuperSOT N-Channel 30V 4.2A 65mohms | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI3454DV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP N-Channel 4.2A 65mΩ | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A ID, 30V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | SI3454DV和SI3454DV-T1-E3的区别 |