STI30NM60N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 25A
输入电容Ciss 2700pF @50VVds
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI30NM60N引脚图与封装图
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在线购买STI30NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI30NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK | 搜索库存 |
替代型号STI30NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI30NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I2PAK N-CH 600V 25A | 当前型号 | N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK | 当前型号 |
| 型号： STB30NM60N 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-CH 600V 25A | 类似代替 | N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK | STI30NM60N和STB30NM60N的区别 |
| 型号： IPP60R125CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 600V 25A 2.5nF | 功能相似 | INFINEON IPP60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V | STI30NM60N和IPP60R125CP的区别 |
| 型号： IPI60R125CP 品牌： 英飞凌 封装： I2PAK-3 N-Channel 600V 25A | 功能相似 | CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor | STI30NM60N和IPI60R125CP的区别 |