SI5905DC-T1
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI5905DC-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 90.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.10 W
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -3.00 A to 3.00 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5905DC-T1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI5905DC-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | 双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET Dual P-Channel 1.8-V G-S MOSFET | 搜索库存 |