STL20NM20N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
漏源极电阻 105 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 800pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL20NM20N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL20NM20N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道200V - 0.088Ω - 20A PowerFLAT ™超低栅极电荷的MDmesh ™II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.088Ω - 20A PowerFLAT™ ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh™ II MOSFET | 搜索库存 |