STSJ100NH3LL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 A
通道数 1
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 24.0 A, 100 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4450pF @25VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STSJ100NH3LL引脚图与封装图
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在线购买STSJ100NH3LL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STSJ100NH3LL | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.0027欧姆 - 100A PowerSO - 8⑩ STripFET⑩ III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.0027 ohm - 100A PowerSO-8⑩ STripFET⑩ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION | 搜索库存 |
替代型号STSJ100NH3LL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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