SI3900DV-T1
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI3900DV-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3900DV-T1引脚图与封装图
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| SI3900DV-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |