STW200NF03中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 120 A
漏源极电阻 2.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 350W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 A
输入电容Ciss 10000pF @25VVds
耗散功率Max 350W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STW200NF03引脚图与封装图
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在线购买STW200NF03
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW200NF03 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.002欧姆 - 120A TO- 247超低导通电阻STripFET⑩ II MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STW200NF03
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW200NF03 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 30V 120A 2mohms | 当前型号 | N沟道30V - 0.002欧姆 - 120A TO- 247超低导通电阻STripFET⑩ II MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET | 当前型号 |
| 型号： PSMN003-25W,127 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 25V 100A | STW200NF03和PSMN003-25W,127的区别 |