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SPP70N10L
Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

N-Channel 100V 70A Tc 250W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220


SPP70N10L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 70.0 A

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

输入电容 4.54 nF

栅电荷 240 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 250 ns

输入电容Ciss 4540pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

SPP70N10L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPP70N10L Infineon 英飞凌 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor 搜索库存
替代型号SPP70N10L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP70N10L

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 100V 70A 4.54nF

当前型号

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

当前型号

型号: SPW47N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 650V 47A

功能相似

INFINEON  SPW47N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V

SPP70N10L和SPW47N60C3的区别

型号: RFP15N05L

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 50V 15A 140mohms

功能相似

15A , 50V和60V , 0.140欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 15A, 50V and 60V, 0.140 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

SPP70N10L和RFP15N05L的区别

型号: RFP30P05

品牌: 英特矽尔

封装:

功能相似

30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

SPP70N10L和RFP30P05的区别