
额定电压DC 100 V
额定电流 70.0 A
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
输入电容 4.54 nF
栅电荷 240 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 4540pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPP70N10L 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-CH 100V 70A 4.54nF | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: SPW47N60C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 650V 47A | 功能相似 | INFINEON SPW47N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V | SPP70N10L和SPW47N60C3的区别 | |
型号: RFP15N05L 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 50V 15A 140mohms | 功能相似 | 15A , 50V和60V , 0.140欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 15A, 50V and 60V, 0.140 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs | SPP70N10L和RFP15N05L的区别 | |
型号: RFP30P05 品牌: 英特矽尔 封装: | 功能相似 | 30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | SPP70N10L和RFP30P05的区别 |