SI8600AB-B-ISR
数据手册.pdfSilicon Labs(芯科)
主动器件
SI8600AB-B-ISR中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
耗散功率 220 mW
隔离电压 2500 Vrms
下降时间Max 4 ns
上升时间Max 4 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 220 mW
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI8600AB-B-ISR引脚图与封装图
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在线购买SI8600AB-B-ISR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8600AB-B-ISR | Silicon Labs 芯科 | Digital Isolator Open Drain 2CH 1.7MHz Automotive 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |
替代型号SI8600AB-B-ISR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI8600AB-B-ISR 品牌： Silicon Labs 芯科 封装： SOIC-Narrow-8 | 当前型号 | Digital Isolator Open Drain 2CH 1.7MHz Automotive 8Pin SOIC N T/R | 当前型号 |