SI9426DY
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI9426DY中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 12.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 10.5 A
上升时间 26 ns
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9426DY引脚图与封装图
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在线购买SI9426DY
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9426DY | Fairchild 飞兆/仙童 | 单N沟道， 2.5V指定MOSFET Single N-Channel, 2.5V Specified MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI9426DY
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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