STD90N02L-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 70W Tc
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 2050pF @16VVds
额定功率Max 70 W
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD90N02L-1引脚图与封装图
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在线购买STD90N02L-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD90N02L-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD90N02L-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD90N02L-1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-251-3 | 当前型号 | N沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STU75N3LLH6 品牌： 意法半导体 封装： IPAK-3 N-Channel 30V 75A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STD90N02L-1和STU75N3LLH6的区别 |