SI9410DY
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI9410DY中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 30.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.50 W
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SI9410DY引脚图与封装图
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在线购买SI9410DY
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9410DY | Fairchild 飞兆/仙童 | 单N沟道增强型MOSFET Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI9410DY
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI9410DY 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 7A 30mohms | 当前型号 | 单N沟道增强型MOSFET Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS6612A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 8.4A 22mohms 560pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V | SI9410DY和FDS6612A的区别 |
| 型号： FDS6630A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 6.5A 38mohms 460pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1.7 V | SI9410DY和FDS6630A的区别 |
| 型号： NDS9410A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 7.3A 28mohms | 类似代替 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | SI9410DY和NDS9410A的区别 |