SI9945DY
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI9945DY中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 76 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
上升时间 7.5 ns
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI9945DY引脚图与封装图
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在线购买SI9945DY
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9945DY | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI9945DY
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI9945DY 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 60V 3.3A 76mohms | 当前型号 | 双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI9945DY-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A ID, 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI9945DY和SI9945DY-T1的区别 |