STI12NM50N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 380 mΩ
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 940pF @50VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI12NM50N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI12NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP | 搜索库存 |