STF13NM50N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 25W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 960pF @50VVds
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF13NM50N引脚图与封装图
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在线购买STF13NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF13NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK | 搜索库存 |
替代型号STF13NM50N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF13NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 500V 6A | 当前型号 | N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IPA50R299CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 500V 12A | 功能相似 | INFINEON IPA50R299CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 299 mohm, 10 V, 3 V | STF13NM50N和IPA50R299CP的区别 |