耗散功率 110W Tc
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STI90N4F3 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220 , IPAK , I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STI90N4F3 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-262AA | 当前型号 | N沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220 , IPAK , I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET | 当前型号 | |
型号: STP90N4F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-220-3 | 功能相似 | N沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220 , IPAK , I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET | STI90N4F3和STP90N4F3的区别 | |
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型号: STP95N04 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 40V 80A 5.4mΩ 2.2nF | 功能相似 | N沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFET | STI90N4F3和STP95N04的区别 |