STD60NH03LT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 60.0 A
漏源极电阻 9.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD60NH03LT4引脚图与封装图
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在线购买STD60NH03LT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD60NH03LT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD60NH03LT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD60NH03LT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 60A 9mohms | 当前型号 | N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD60NF3LLT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 60A 7.5mΩ | 类似代替 | DPAK N-CH 30V 60A | STD60NH03LT4和STD60NF3LLT4的区别 |