SI1902DL-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 385 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 270 mW
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 700 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1902DL-T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI1902DL-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1902DL-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |