STI21NM60ND中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 140W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 1800pF @50VVds
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI21NM60ND引脚图与封装图
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在线购买STI21NM60ND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI21NM60ND | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STI21NM60ND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI21NM60ND 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-262AA | 当前型号 | N沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | 当前型号 |
| 型号： STB21NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V | STI21NM60ND和STB21NM60ND的区别 |
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| 型号： STB24NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V | STI21NM60ND和STB24NM60N的区别 |