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STB13NM50N-1

STB13NM50N-1

数据手册.pdf

N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK

通孔 N 通道 500 V 12A(Tc) 100W(Tc) I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Win Source:
N-channel 500V - 0.250Ω - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET | MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK


STB13NM50N-1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 960pF @50VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB13NM50N-1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB13NM50N-1 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK 搜索库存