![STB13NM50N-1](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_339/chanpintu/stb13nm50n-1-IfpVbEQH-loeGmlLZ7.png)
STB13NM50N-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 960pF @50VVds
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB13NM50N-1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB13NM50N-1
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
STB13NM50N-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK | 搜索库存 |