SI6466DQ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI6466DQ中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 15.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.40 W
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 7.80 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP
外形尺寸
封装 TSSOP
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI6466DQ引脚图与封装图
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在线购买SI6466DQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6466DQ | Fairchild 飞兆/仙童 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI6466DQ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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