SSP1N60B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SSP1N60B中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 12.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34.0 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SSP1N60B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SSP1N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSP1N60B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 1A 12ohms | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | SSP1N60B和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP5NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V | SSP1N60B和STP5NK100Z的区别 |
| 型号： STP120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | SSP1N60B和STP120NF10的区别 |