SI4562DY-T1
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI4562DY-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 250 mΩ, 330 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源击穿电压 ±20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 7.10 A, 6.20 A
封装参数
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4562DY-T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4562DY-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4562DY-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.1A/6.2A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |