SI5402DC-T1
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI5402DC-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.50 W
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -6.70 A to 6.70 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5402DC-T1引脚图与封装图
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