STD55NH2LLT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 24.0 V
额定电流 40.0 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 24 V
漏源击穿电压 24.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
输入电容Ciss 990pF @25VVds
额定功率Max 60 W
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD55NH2LLT4引脚图与封装图
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在线购买STD55NH2LLT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD55NH2LLT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道24V - 0.010ohm - 40A DPAK / IPAK超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.010ohm - 40A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD55NH2LLT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD55NH2LLT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 24V 40A 110mohms | 当前型号 | N沟道24V - 0.010ohm - 40A DPAK / IPAK超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.010ohm - 40A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | 当前型号 |
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