SI4920DY
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI4920DY中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.00 W
连续漏极电流Ids 6.90 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4920DY引脚图与封装图
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