SI1026X-T1
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI1026X-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 320 mA
封装参数
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1026X-T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI1026X-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1026X-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6Pin SC-89 T/R | 搜索库存 |