SI9926ADY
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI9926ADY中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 40.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.80 A
封装参数
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9926ADY引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI9926ADY | Vishay Semiconductor 威世 | 双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET | 搜索库存 |