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SGR6N60UFTF

SGR6N60UFTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT 600V 6A 30W Surface Mount D-Pak


得捷:
N-CHANNEL IGBT


贸泽:
IGBT Transistors 600V/3A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


SGR6N60UFTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.00 A

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGR6N60UFTF引脚图与封装图
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在线购买SGR6N60UFTF
型号 制造商 描述 购买
SGR6N60UFTF Fairchild 飞兆/仙童 Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
替代型号SGR6N60UFTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGR6N60UFTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 600V 3A 30W

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: HGTD3N60C3S9A

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 600V 6A 33000mW

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