![SI8261BAC-C-ISR](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_339/chanpintu/si8261bac-c-isr-J9lPSjCw-kjakb2PXq.png)
上升/下降时间 5.5ns, 8.5ns
通道数 1
正向电压 2.8V Max
耗散功率 300 mW
隔离电压 3750 Vrms
正向电流 30 mA
电源电压 6.5V ~ 30V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI8261BAC-C-ISR | Silicon Labs 芯科 | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1Channel 8-SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI8261BAC-C-ISR 品牌: Silicon Labs 芯科 封装: SOIC-8 | 当前型号 | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1Channel 8-SOIC | 当前型号 | |
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